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Eine Ausführungsform umfasst einen Graben (102, 202) innerhalb eines Halbleiterkörpers (104, 204) und eine Gateisolationsstruktur (106, 206) an gegenüberliegenden Seitenwänden innerhalb des Grabens (102, 202). Eine Gateelektrodenstruktur (110, 210) grenzt an die Gateisolationsstruktur (106, 206) innerhalb des Grabens (102, 202) an und eine dielektrische Struktur (115, 215) grenzt an die Gateelektrodenstruktur (110, 210) innerhalb des Grabens (102, 202) an. Die Gateelektrodenstruktur (110, 210) ist an einer Unterseite des Grabens (102, 202) in Kontakt mit dem Halbleiterkörper (104, 204) und ist elektrisch über ein Element (133, 233) mit einer Spannungssperrfestigkeit mit einer Drainzone (122, 222) gekoppelt.
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