Einstellen der Austrittsarbeit in Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεdurch selektives Entfernen einer Barrierenschicht

摘要

In einem Austauschgateansatz in komplexen Halbleiterbauelementen wird eine Tantalnitridätzstoppmaterialschicht effizient auf der Grundlage eines nasschemischen Ätzrezepts unter Anwendung von Ammoniumhydroxid entfernt. Folglich kann ein weiteres Material zur Austrittsarbeitseinstellung mit besserer Gleichmäßigkeit hergestellt werden, wobei auch die Effizienz der nachfolgenden Einstellung der Austrittsarbeit verbessert wird. Somit kann eine bessere Gleichmäßigkeit, d.h. eine weniger ausgeprägte Transistorvariabilität, auf der Grundlage eines Austauschgateansatzes erreicht werden, in welchem die Austrittsarbeit der Gateelektroden von p-Kanaltransistoren und n-Kanaltransistoren nach der Fertigstellung der grundlegenden Transistorstruktur eingestellt wird.