发明名称 Leistungselektronik-Energiemodul mit eingebettetem Gate-Schaltkreis
摘要 <p>Es wird ein Leistungselektronik-Energiemodul bereitgestellt. Das Leistungselektronik-Energiemodul umfasst ein elektrisch leitfähiges Substrat, ein elektronisches Bauteil mit ersten und zweiten gegenüberliegenden Oberflächen und wenigstens einem darauf gebildeten Transistor, wobei das elektronische Bauteil an dem elektrisch leitfähigen Substrat befestigt ist und der wenigstens eine Transistor derart eingerichtet ist, dass, wenn der wenigstens eine Transistor aktiviert ist, Strom von der ersten Oberfläche des elektronischen Bauteils in das elektrisch leitfähige Substrat fließt, und wobei ein Steuerglied wenigstens teilweise in dem elektrisch leitfähigen Substrat eingebettet ist, wobei das Steuerglied einen darauf gebildeten Steuerleiter aufweist und elektrisch mit dem wenigstens einen Transistor verbunden ist, so dass, wenn ein Steuersignal für den Steuerleiter bereitgestellt ist, der wenigstens eine Transistor aktiviert ist.</p>
申请公布号 DE102010027967(A1) 申请公布日期 2010.12.02
申请号 DE20101027967 申请日期 2010.04.20
申请人 GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS INC. 发明人 YANKOSKI, EDWARD P.;WARD, TERENCE G.;WOODY, GEORGE R.
分类号 H01L25/11;H02M1/00 主分类号 H01L25/11
代理机构 代理人
主权项
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