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一种介电层，包含：一热压缩之非结晶质介电层，以具软性金属气息处理之脉冲式DC、基底偏压之物理气沈积将该介电层沈积在一基底上，其中，热压缩之非结晶质介电层为一障壁层。如申请专利范围第1项之介电层，其中之沈积是以一宽广面积之标的物加以实施的。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层亦为一光学层。如申请专利范围第3项之介电层，其中之障壁层包含一TiO2层。如申请专利范围第3项之介电层，其中之障壁层包含一矾土/矽土层。如申请专利范围第1项之介电层，其中之软性金属气息处理为一铟-锡气息处理。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层亦为一电气层。如申请专利范围第7项之介电层，其中之障壁层包含一电容性层。如申请专利范围第8项之介电层，其中之电容性层为一TiO2层。如申请专利范围第8项之介电层，其中之电容性层为一矾土/矽土层。如申请专利范围第7项之介电层，其中之障壁层包含一电性层。如申请专利范围第11项之介电层，其中之电阻层为铟-锡金属或氧化物。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层含一摩擦层。如申请专利范围第13项之介电层，其中之摩擦层为一TiO2层。如申请专利范围第13项之介电层，其中之摩擦层为矾土/矽土。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层为一生物学上为免疫之相容层。如申请专利范围第1项之介电层，其中，在生物学上为免疫之相容层为TiO2。如申请专利范围第1项之介电层，其中介电膜为TiO2。如申请专利范围第1项之介电层，其中，用以形成介电膜之标的物浓度为92% Al和8% Si。如申请专利范围第1项之介电层，其中，用以形成介电膜标的物是形成自金属镁。如申请专利范围第1项之介电层，其中之标的物材料包含选自由Mg、Ta、Ti、Al、Y、Zr、Si、Hf、Ba、Sr、Nb及其组合所成一族之材料。如申请专利范围第21项之介电层，其中之标的物材料含稀土金属浓度。如申请专利范围第1项之介电层，其中之标的物材料包含由Mg、Ta、Ti、Al、Y、Zr、Si、Hf、Ba、Sr、Nb及其组合所组成之次氧化物。如申请专利范围第1项之介电层，其中之介电膜可渗透缺陷浓度小于每平方公分约为1。如申请专利范围第1项之介电层，其中之水蒸气传输率小于约1×10-2 gm/m2/日。如申请专利范围第1项之介电层，其中之光衰减在一连续薄膜中小于0.1 dB/cm。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层厚度小于约500 nm。如申请专利范围第27项之介电层，其中之水蒸气传输率小于约1×10-2 gm/m2/日。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层厚度小于约1微米且水蒸气传输率小于约1×10-2 gm/m2/日。如申请专利范围第1项之介电层，其中之障壁层作用为一薄膜电晶体之闸极氧化物。一种形成一障壁层之方法，包含：提供一基底；在基底上实施一软性金属气息处理；以及以一脉冲式DC、偏压、宽广标的物物理气相沈积程序，在基底上沈积一高度热压缩、非结晶质、介电材料。如申请专利范围第31项之方法，其中介电材料是形成自一含92% Al和8% Si之标的物。如申请专利范围第31项之方法，其中介电材料是形成自一含钛之标的物。如申请专利范围第31项之方法，其中介电材料是形成一标的物材料，该标的物材料含选自由Mg、Ta、Ti、Al、Y、Zr、Si、Hg、Ba、Sr、Nb及组合所组成一族之材料。如申请专利范围第31项之方法，其中之软性金属气息处理为一铟/锡气息处理。 |
