发明名称 半导体用之玻璃载板
摘要
申请公布号 TWM393794 申请公布日期 2010.12.01
申请号 TW099214632 申请日期 2010.07.30
申请人 义强科技股份有限公司 发明人 郦唯诚;孙正宏;李鸿斌
分类号 H01L21/673 主分类号 H01L21/673
代理机构 代理人 高玉骏 台北市松山区南京东路3段248号7楼;杨祺雄 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种半导体用之玻璃载板,适用于被一静电吸盘吸附固定,并包含:一透明之玻璃板层;及一透明的静电吸附层,被覆于玻璃板层底面,并可被所述静电吸盘之静电力吸附固定。依据申请专利范围第1项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该静电吸附层包括一被覆固定在玻璃板层底面之透明导电膜,及一被覆于该透明导电膜底面之透明绝缘膜。依据申请专利范围第2项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该透明导电膜厚度范围介于0.01 μm~5 μm。依据申请专利范围第2或3项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该透明绝缘膜厚度范围介于0.01 μm~5 μm。依据申请专利范围第4项所述之半导体用之玻璃载板,其中,透明导电膜是选自于铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌镓、氧化铝锌以及铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌镓与氧化铝锌之混合所构成的群体。依据申请专利范围第4项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该透明绝缘膜是选自于氧化矽、氧化铝、过渡金属氧化物或此等一组合。依据申请专利范围第6项所述之半导体用之玻璃载板,其中,过渡金属氧化物是选自于氧化铬、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化铪或此等一组合。依据申请专利范围第1项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该静电吸附层是由金属氧化物半导体材料制成,其厚度范围介于0.01 μm~5 μm。依据申请专利范围第8项所述之半导体用之玻璃载板,其中,该静电吸附层是选自氧化锌、氧化锡、杂质掺入之氧化锌、杂质掺入之氧化锡或此等一组合。
地址 台南市安南区工业一路36号