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一种制造半导体装置之方法，包含下列步骤：在一基材层上形成一第一装置的一闸极结构，其中该闸极结构包括一硬质罩幕层；在该闸极结构的两侧及部分下面形成该基材的凹入部以在该闸极结构之下形成通道，该通道具有可支承该闸极结构的一宽度；在该基材层的该凹入部上沈积一介电层，该介电层在该闸极结构之下形成穿隧障壁；在该介电层上沈积一掺杂多晶矽层，而形成一接面区；薄化该掺杂多晶矽层以在该第一装置与一邻近装置之间形成一凹入接面区；使用在该第一装置与该邻近装置之间的一沟槽罩幕层而在该凹入接面区上沈积一光阻层；以及蚀刻该凹入接面区的一部分，而将该第一装置与该二装置隔离。如申请专利范围第1项之方法，其中沈积该掺杂多晶矽层之步骤包含下列步骤：沈积一无掺杂多晶矽层；以及对该无掺杂多晶矽层植入，以便形成该掺杂矽层。如申请专利范围第1项之方法，其中形成该凹入接面区之步骤包含下列步骤：研磨该掺杂多晶矽层至该闸极结构的该硬质罩幕层的高度；以及蚀刻该掺杂多晶矽层至低于该闸极结构的该硬质罩幕层的高度。如申请专利范围第3项之方法，其中形成该凹入接面区之步骤包含下列步骤：使用一扩散罩幕层。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含下列步骤：自该凹入接面区剥除该光阻层。如申请专利范围第1项之方法，其中该通道的宽度小于10奈米。如申请专利范围第1项之方法，其中该氧化物或介电层具有范围在三埃(@sIMGCHAR!d10012.TIF@eIMG!)与七埃(@sIMGCHAR!d10013.TIF@eIMG!)之间的一厚度。如申请专利范围第1项之方法，其中该介电层是介电氧化层。 |
