| 主权项 |
一种矽磊晶晶圆的制造方法，其特征为：以藉由CVD法，在矽单结晶基板的背面形成矽氧化膜之氧化膜形成工程，和在覆盖形成于前述矽单结晶基板的前述背面之前述矽氧化膜，且令前述矽单结晶基板的外周部之一部份露出于液面上之状态下，藉由令前述矽单结晶基板浸渍于氟酸中，令由前述矽单结晶基板的前述背面至前述外周部的至少最外缘之外周氧化膜只残留于前述外周部的一部份之氟酸处理工程，和在将在前述氟酸处理工程所残留的前述外周氧化膜与感受器的凹座部的侧面抵接之状态下，令矽磊晶层气相成长于前述矽单结晶基板的主表面上之气相成长工程之顺序依序进行该工程。如申请专利范围第1项所记载之矽磊晶晶圆的制造方法，其中，在令前述矽单结晶基板的外周部的1/4以下之领域露出于液面上之状态下，将前述矽单结晶基板浸渍于前述氟酸中。一种矽磊晶晶圆，是针对具备：矽单结晶基板，和形成在该矽单结晶基板的背面之矽氧化膜，和形成在矽单结晶基板的主表面上之矽磊晶层之矽磊晶晶圆，其特征为：只在前述外周部的一部份具有由前述矽单结晶基板的前述背面横跨该矽单结晶基板的外周部的至少最外缘之外周氧化膜。如申请专利范围第3项所记载之矽磊晶晶圆，其中，前述外周氧化膜系形成在前述矽单结晶基板的外周部之1/4以下的领域。 |
