| 主权项 |
一种无缺陷之矽单结晶的制造方法，使用CZ法，在该矽单结晶周围配设圆筒状冷却器，藉由调整前述矽单结晶之牵引速度、蓄存矽熔液之坩埚及前述矽单结晶之旋转速度、及在配设于前述坩埚周围之在前述矽单结晶纵向上至少分割成2个的多重加热器之功率比，将前述矽单结晶纵向的前述矽单结晶侧面的温度梯度、固液界面高度、以及前述矽单结晶纵向的氧浓度加以控制。如申请专利范围第1项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，前述多重加热器系由上段加热器及位于前述上段加热器下段之下段加热器所构成，前述下段加热器与前述上段加热器功率之比，系0.9以上至3.5以下。如申请专利范围第1项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，前述多重加热器系由配置于前述坩埚周围之圆筒状侧面加热器及配置于前述坩埚下侧之底加热器所构成，前述底加热器与前述侧面加热器功率之比，系0.9以上至3.5以下。如申请专利范围第2项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，前述功率之比系0.9以上至1.5以下。如申请专利范围第3项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，前述功率之比系0.9以上至1.5以下。如申请专利范围第2项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使前述功率之比在前述矽单结晶纵向上改变而调整。如申请专利范围第1项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使前述坩埚之旋转速度为0.5rpm以上至1rpm以下。如申请专利范围第1项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使前述矽单结晶与前述坩埚转向相反，且前述矽单结晶之旋转速度系18rpm以上至20rpm以下。如申请专利范围第8项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使前述矽单结晶与前述坩埚转向相反，且前述矽单结晶之旋转速度系18rpm以上至20rpm以下。如申请专利范围第1项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，而且使包围前述矽单结晶而将射往前述矽单结晶之辐射热量加以调整之遮热板下端与前述矽熔液表面之距离，在前述矽单结晶纵向上改变而调整。如申请专利范围第10项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使前述遮热板下端与前述矽熔液表面之距离在45mm以上至75mm以下范围内调整，使前述矽单结晶之牵引速度在0.45mm/min以上至0.70mm/min以下范围内调整。如申请专利范围第1至9项中任一项所述之无缺陷之矽单结晶的制造方法，其中，使磁场施加在前述矽熔液上。一种无缺陷之矽单结晶的制造方法，使用CZ法，藉由调整前述矽单结晶之牵引速度、蓄存矽熔液之坩埚及前述矽单结晶之旋转速度、及在配设于前述坩埚周围之在前述矽单结晶纵向上至少分割成2个的多重加热器之功率比，将前述矽单结晶纵向的前述矽单结晶侧面的温度梯度、固液界面高度、以及前述矽单结晶纵向的氧浓度加以控制。 |
