| 主权项 |
一种半导体装置，系具备：绝缘基板；形成在前述绝缘基板上之缓冲膜；形成在前述缓冲膜上之半导体层；在前述半导体层添加杂质而构成之源极及汲极；以邻接前述半导体层之前述源极及前述汲极之方式形成，且所添加之杂质的浓度比添加至前述源极及前述汲极的浓度低的低浓度层；覆盖前述半导体层且形成在前述缓冲膜上之闸极绝缘膜；与前述半导体层局部重叠且形成在前述闸极绝缘膜上之闸极配线；覆盖前述闸极配线且形成在前述闸极绝缘膜上之层间绝缘膜；形成在前述源极及前述汲极上之前述层间绝缘膜的接触孔；经由前述接触孔而与前述源极连接且延伸在前述层间绝缘膜上之源极配线；以及经由前述接触孔而与前述汲极连接且延伸在前述层间绝缘膜上之汲极配线；其中，前述源极配线或前述汲极配线系在前述闸极配线上方形成终端；从平面观之，前述低浓度层系被前述源极配线或前述汲极配线完全覆盖。如申请专利范围第1项之半导体装置，其中，前述源极配线或前述汲极配线系在前述闸极配线上且与前述半导体层重叠之区域形成终端。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，前述汲极配线系与前述半导体层重叠且以直线状延伸。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，于前述绝缘基板上形成有金属层；前述金属层系从前述接触孔侧延伸，并在前述闸极配线之下方且与前述半导体层重叠之区域形成终端。如申请专利范围第1项或第2项之半导体装置，其中，该半导体装置系配置在液晶显示装置之显示画素，且使用在用以选择该显示画素之画素选择电晶体。 |
