发明名称 制作悬浮结构与腔体之方法
摘要
申请公布号 TWI334062 申请公布日期 2010.12.01
申请号 TW095122564 申请日期 2006.06.22
申请人 探微科技股份有限公司 发明人 康育辅
分类号 G03F7/20 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 吴丰任 台北县永和市福和路389号6楼之3;戴俊彦 台北县永和市福和路389号6楼之3
主权项 一种制作悬浮结构与腔体之方法,其包含有:提供一基底;于该基底之表面形成一孔洞;于该基底上形成一第一图案化光阻层,且该第一图案化光阻层填满该孔洞;加热该第一图案化光阻层使该第一图案化光阻层硬化,该第一图案化光阻层系作为一牺牲层之用;于该基底与该牺牲层上方定义一第二图案化光阻层,该第二图案化光阻层曝露出部分该牺牲层与部分该基底;于该基底、该第二图案化光阻层与该牺牲层上方形成一结构层;进行一掀举制程以移除该第二图案化光阻层与位于该第二图案化光阻层上方之该结构层;以及进行一乾式蚀刻制程以移除该牺牲层,使位于该基底与该牺牲层上方之该结构层成为该悬浮结构,并且使位于该基底上方之该孔洞成为该腔体。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该牺牲层具有圆角化之侧壁。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该牺牲层具有倾斜之侧壁。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结构层之材料包含有金属。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该结构层之材料包含有单晶矽、非晶矽或多晶矽。如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该金属层之方法包含有一化学气相沉积制程或一镀膜制程。如申请专利范围第6项所述之方法,其中该化学气相沉积制程包含有一常压化学气相沉积制程。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该掀举制程包括一湿式蚀刻制程。如申请专利范围第1项所述之方法,其中该乾式蚀刻制程包括一溅击蚀刻制程、一电浆蚀刻制程、或一反应性离子蚀刻制程。
地址 桃园县杨梅市高狮路566号