发明名称 晶片层间强度测试装置
摘要
申请公布号 TWI334028 申请公布日期 2010.12.01
申请号 TW096120511 申请日期 2007.06.07
申请人 国立屏东科技大学 发明人 卢威华
分类号 G01N3/24 主分类号 G01N3/24
代理机构 代理人 陈启舜 高雄市苓雅区中正一路284号12楼
主权项 一种晶片层间强度测试装置,包含:一检测平台,其具有互相平行之一第一表面及一第二表面,以供二待测晶片藉由一胶材黏附;一第一涂测平台,其系邻近该检测平台之第一表面,并以胶材黏着于该第一表面之待测晶片上;及一第二涂测平台,其系邻近于该检测平台之第二表面,并以胶材黏着于该第二表面之待测晶片上;其中,待该胶材黏合固定于该二待测晶片之后,对该检测平台施一毁损外力,当该二待测晶片其中之一产生层间结构毁损后,测量并纪录该二待测晶片其中之一层间之强度,当该胶材毁损前,该待测晶片并未毁损,则纪录该待测晶片之强度符合规格。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该胶材系选自一液态胶材。依申请专利范围第2项所述之晶片层间强度测试装置,其中该胶材之黏合固定方法系将该胶材依其热固化条件进行固化。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该毁损外力系一相对于该检测平台及该液态胶材涂测平台之平面之剪向切力。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该第一涂测平台及第二涂测平台均具有一平面,以供该胶材进行涂覆。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该第一涂测平台及第二涂测平台之至少一个具有一固定孔。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该检测平台具有一固定孔。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中该胶材之涂布面积系相等于该待测晶片之面积。依申请专利范围第1项所述之晶片层间强度测试装置,其中当该二待测晶片其中之一,其产生层间结构毁损系于表面保护层与介电层。
地址 屏东县内埔乡学府路1号