| 发明名称 | 双模手机中排除其他制式发射影响的接入试探发射方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种双模手机中排除其他制式发射影响的接入试探发射方法，包括以下步骤：(1)双模手机在准备制式一的接入试探时，制式一模块实时获取处于发射状态的制式二模块的发射信道所在频段范围，确定制式二到制式一的泄漏功率；(2)制式一模块测量整个频段内接收到的前向链路总功率，并根据制式一标准计算平均输出功率；(3)用计算的平均输出功率减去制式二泄漏到制式一的功率，得到最终的平均发射功率。 | ||
| 申请公布号 | CN101207858B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200610162278.4 | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 中兴通讯股份有限公司 | 发明人 | 徐耀云;吴建响 |
| 分类号 | H04W52/14(2009.01)I;H04W52/34(2009.01)I;H04W88/06(2009.01)I | 主分类号 | H04W52/14(2009.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 龙洪;霍育栋 |
| 主权项 | 双模手机中排除其他制式发射影响的接入试探发射方法，包括以下步骤：(1)双模手机在准备制式一的接入试探时，制式一模块实时获取处于发射状态的制式二模块的发射信道所在频段范围，确定制式二到制式一的泄漏功率；(2)制式一模块测量整个频段内接收到的前向链路总功率，并根据制式一标准计算平均输出功率；(3)用计算的平均输出功率减去制式二泄漏到制式一的功率，得到最终的平均发射功率；(4)根据最终的平均发射功率来发射接入试探。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法律部 | ||