| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：在半导体衬底的预设或给定区域上顺序层叠的单元隔离图形和半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。 | ||
| 申请公布号 | CN1949523B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200610136129.0 | 申请日期 | 2006.10.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔炳镕;李忠浩;朴东健 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：在半导体衬底的一区域上的单元隔离图形和在单元隔离图形上的半导体图形；单元栅极线，在半导体图形上，并在单元隔离图形的一侧上的半导体衬底的顶表面上；多层阱绝缘层，在单元栅极线和半导体衬底以及单元栅极线和半导体图形之间；第一杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体衬底中；以及第二杂质扩散层，在单元栅极线的两侧上的半导体图形中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||