绝缘导热金属基板的制造方法

摘要

本发明提供一种绝缘导热金属基板的制造方法，其包括以下步骤：提供一金属基材并将其配置于一腔体内；于该腔体内形成接近真空状态；将惰性气体通入该腔体中；启动溅镀不锈钢靶材，进行离子冲击并植入不锈钢；关闭不锈钢靶材的电流；将惰性气体通入该腔体中；启动溅镀铝靶材，并逐步通入氮气，生成氮化铝薄膜；关闭铝靶材的电流。本发明利用在金属基材上通过真空溅镀形成绝缘层(氮化铝薄膜)，其制造过程简单，易于实施，且可得到绝缘性、高热传导性的金属基板。

主权项

1.一种绝缘导热金属基板的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)提供一金属基材并将其配置于一腔体内；(2)于该腔体内形成接近真空状态；(3)将惰性气体通入该腔体中；(4)启动溅镀不锈钢靶材，进行离子冲击并植入不锈钢；(5)关闭不锈钢靶材的电流；(6)将惰性气体通入该腔体中；(7)启动溅镀铝靶材，并逐步通入氮气，生成氮化铝薄膜，腔体内惰性气体的气压维持在1～3×10^-3Torr，氮气的气压维持在1～3×10^-3Torr，需将基板负偏压控制在-300～-600V，并将不锈钢靶材的功率密度控制在0.1～1W/cm²，进行离子冲击并植入不锈钢的时间为3～10min；(8)关闭铝靶材的电流，关闭不锈钢靶材的电流前1～3min，需将不锈钢靶材的功率密度控制在5～15W/cm²，基板偏压调整在20～60V；其中，上述金属基材为不锈钢或铜，通入氮气前1～3min，需将基板负偏压调整至20～60V，并将铝靶材的功率密度控制在5～15W/cm²，当氮化铝薄膜层的厚度为3～5μm时，关闭铝靶材的电流。