发明名称 半导体传感器及其在用于检测电子给体或电子受体物种的探测器中的应用
摘要 本发明涉及半导体传感器,及其在用于检测电子给体或电子受体物种的探测器中的应用。该传感器由绝缘基底(1)形成,在所述基底的表面上提供了两个电极(2,2’)和一个半导体敏感元件。该敏感元件由半导体分子材料M1的层和半导体分子材料M2的层形成,其中M1的电导率为C1,M2的电导率为C2,带隙Eg2<1eV。材料层M1与电极接触;材料层M2沉积在材料层M1上,并且不与电极接触。电导率满足C2/C1≥1。
申请公布号 CN101903767A 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200880111697.2 申请日期 2008.09.24
申请人 皮埃尔-玛丽-居里大学;国立科学研究中心 发明人 M·布韦;V·帕拉
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 过晓东
主权项 1.一种由绝缘基底形成的传感器,在所述基底的表面上沉积了两个电极和一个半导体敏感元件,其特征在于,-敏感元件由半导体分子材料M1的层和半导体分子材料M2的层形成,其中M1的电导率为C<sub>1</sub>,M2的电导率为C<sub>2</sub>,带隙E<sub>g2</sub><1eV;-材料M1的层与电极接触;-材料M2的层沉积在材料M1的层上,并且不与电极接触;-所述电导率满足C<sub>2</sub>/C<sub>1</sub>≥1;并且-材料M1是:选自以下金属M的氧化态II的单酞菁M<sup>II</sup>Pc:Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Pt和Pd;以下形式的金属M的氧化态III的单酞菁M<sup>III</sup>Pc:GaOH、GaCl、InCl、AlCl、AlF或AlOH;以下形式的金属M的氧化态IV的单酞菁M<sup>IV</sup>Pc:Si(OH)<sub>2</sub>、SiCl<sub>2</sub>、SnCl<sub>2</sub>、TiO或VO;重复单元为MPc的多酞菁,金属M为以下形式:SiO、SnO、GeO、Fe吡嗪、Ru吡嗪、AlF或GaF;选自以下的有机化合物:低聚噻吩,无论取代与否,并四苯、并五苯、富勒烯、四羧基萘、萘二酐、萘二酰亚胺、四羧基二萘嵌苯、二萘嵌苯二酐、二萘嵌苯二酰亚胺、三芳基胺、三亚苯基和四氰基二甲基对苯醌;或选自聚噻吩和聚对苯撑乙烯撑的半导体聚合物。
地址 法国巴黎