发明名称 |
以青葱为模板和反应器一步合成IIB族硫化物半导体纳米材料的方法 |
摘要 |
以青葱为模板和反应器一步生产IIB族硫化物半导体纳米材料的方法,涉及一种纳米材料的制备工艺。先将青葱用蒸馏水洗干净。配制浓度为0.05~0.20mol/L含汞、镉、锌等金属离子和含硫离子溶液分置于两个容器中。先将青葱根部朝下竖直放入盛有其中一种溶液的容器中,并使其根茎全部被浸没,仅露出叶片。与此同时,缓慢向叶片的孔洞中注入另一种溶液,保持叶片孔洞中溶液高度低于孔洞约2厘米,24小时后取出。最后将青葱上的产物转入无水乙醇中,得到IIB族硫化物半导体纳米材料。本发明成本低廉、工艺简单、无任何污染、产率达90%,产物具有良好光学性能。可广泛用于网状、球状、颗粒状等IIB族硫化物半导体纳米材料的合成与制备。 |
申请公布号 |
CN1715190B |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200510026934.3 |
申请日期 |
2005.06.20 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
吴庆生;贾润萍;丁亚平 |
分类号 |
C01G1/12(2006.01)I;C01G11/02(2006.01)I;C01G13/00(2006.01)I;C01G9/08(2006.01)I |
主分类号 |
C01G1/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 31204 |
代理人 |
陈龙梅 |
主权项 |
以青葱为模板和反应器一步合成IIB族硫化物半导体纳米材料的方法,其特征在于:第一步:取市售新鲜青葱,将其用蒸馏水洗涤干净后晾干;第二步:称取0.02~0.08mol离子摩尔数之比与产物化学式相对应的含汞、镉、锌金属离子的盐和含硫金属化合物,然后将其分别溶解于400mL蒸馏水中制成浓度为0.05~0.20mol/L的金属离子溶液和含硫金属离子溶液,再将其分置于两个瘦高容器中;将青葱根部朝下竖直放入盛有其中一种溶液的容器中,并使其根茎全部被溶液浸没,仅露出葱管状叶片,与此同时,缓慢向葱管状叶片的管腔中注入另一种溶液,保持葱管状叶片的管腔中溶液高度低于管腔顶端2~3厘米,浸养24小时后取出;第三步:取出的青葱,分别用蒸馏水和无水乙醇洗净后,将青葱上的产物转入无水乙醇中,得到IIB族硫化物半导体纳米材料。 |
地址 |
200092 上海市四平路1239号 |