形成半导体器件的方法及其结构

摘要

一种非平面半导体器件(10)提供硅鳍片(42)。将锗源(例如，24、26、28、30、32)提供给鳍片(42)。一些实施例可以使用沉积提供锗；一些实施例可以使用离子注入(30)提供锗；也可使用其它方法提供锗。然后氧化鳍片(42)以在鳍片(36)中形成硅锗沟道区。在一些实施例中，将整个鳍片(42)从硅转换成硅锗。例如，可以使用一个或多个鳍片(36)以形成非平面半导体器件，例如，FINFET、MIGFET、三栅极晶体管或多栅极晶体管。

主权项

一种形成非平面半导体器件的方法，包括：形成非平面半导体器件的鳍片、第一电流电极和第二电流电极，其中所述鳍片、第一电流电极和第二电流电极每个都包括硅；提供锗源给所述鳍片、第一电流电极和第二电流电极；其中提供锗源给所述鳍片包括将锗注入所述鳍片；氧化以在整个鳍片分布锗，从而形成第一电流电极的内部区域和外部区域，和形成第二电流电极的内部区域和外部区域，其中第一电极的外部区域包括锗而第一电极的内部区域不包括锗，且其中第二电流电极的外部区域包括锗而第二电极的内部区域不包括锗；和完成所述非平面半导体器件的形成。