| 发明名称 | 声表面波器件 | ||
| 摘要 | 一种用于声表面波(SAW)器件的单向换能器(100)。在一个实施例中，器件包括在其中有垂直于SAW传播方向(170)的开路反射器(130)的压电基片(150)上的规定的区域；以及位于规定的区域内和被连接到相反的总线条(160)的一对低反射率换能器电极(140)，该电极(140)垂直于SAW传播方向(170)，以及被放置成电极对(140)的激励中心位于离反射器(130)在SAW的中心频率下约八分之七瑞利波长。 | ||
| 申请公布号 | CN1864327B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200480029431.5 | 申请日期 | 2004.10.08 |
| 申请人 | 射频表面声波元件公司 | 发明人 | 克林顿·S.·哈特曼;维克特·P.·普莱斯基 |
| 分类号 | H03H9/25(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/25(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李春晖 |
| 主权项 | 1.一种声表面波器件，包括：在其中有垂直于声表面波传播方向的开路反射器的压电基片上的规定的区域；以及位于所述规定的区域内并被连接到相反的总线条的一对低反射率换能器电极，所述电极垂直于所述声表面波传播方向，并被定位成所述电极对的激励中心位于离所述反射器在所述声表面波的中心频率下0.7875-0.9625瑞利波长的范围内。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||