发明名称 光源装置、基板处理装置、基板处理方法
摘要 本发明提供一种光源装置,该光源装置由包含等离子体的形成区域,在上述等离子体的形成区域中,通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室;和划分在上述等离子体形成室中的等离子体的形成区域的下端,透过上述发光的光学窗构成,在上述等离子体形成室内,形成有用于导入生成上述等离子体的微波的微波透过窗,而且,在上述微波透过窗的外侧设置有与上述微波窗结合、导入上述微波的微波天线。
申请公布号 CN101341582B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200780000830.2 申请日期 2007.01.29
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 大岛康弘;高桥伸明
分类号 H01L21/3065(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种光源装置,用于基板处理装置中,该基板处理装置包括设置有划分处理空间、在所述处理空间中保持被处理基板的基板保持台的处理容器,所述光源装置以与所述基板保持台上的被处理基板相对的方式设置在所述处理容器的上部,其特征在于,所述光源装置包括:包含等离子体形成区域,在所述等离子体形成区域中,通过无电极放电形成等离子体而产生发光的等离子体形成室;和划分在所述等离子体形成室中的等离子体形成区域的下端,透过所述发光的光学窗,在所述等离子体形成室内,形成有导入用于生成所述等离子体的微波的微波透过窗,并且在所述微波透过窗的外侧,设置有与所述微波窗结合,导入所述微波的微波天线,在所述光学窗的一部分上设置有连接所述等离子体形成室和所述处理空间的开口部。
地址 日本国东京都