化学机械抛光垫

摘要

适于对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行平面化的抛光垫。所述抛光垫的整体极限抗张强度至少为4,000psi(27.6MPa)，所述聚合物基质具有封闭的单元孔。所述封闭的单元孔的平均直径为1-50微米，占抛光垫的1-40体积％。所述抛光垫构造的指数衰减常数τ为1-10微米，这是由于聚合物基质的本征孔隙率以及用磨料进行周期性或连续修整的结果。所述表面构造的特征半高半宽度W1/2小于或等于τ的数值。

主权项

1.一种适于对半导体基材、光学基材和磁性基材中的至少一种进行平面化的抛光垫，所述抛光垫的整体极限抗张强度至少为27.6MPa，所述抛光垫包括抛光表面和聚合物基质，所述聚合物基质具有封闭的单元孔，所述抛光表面具有开放的孔，所述封闭的单元孔的平均直径为1-50微米，在抛光表面以下的区域内占抛光垫的1-40体积％，其特征是，指数衰减常数τ为1-10微米，具有用磨料周期性或连续性修整产生的构造，所述磨料的特征半高半宽度W_1/2小于或等于τ的数值。