| 发明名称 | 闪存器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种闪存器件及其制造方法。该闪存器件的制造方法包括：在半导体衬底上形成堆叠电极；在堆叠电极的侧壁上形成侧间隔件；在侧间隔件的侧壁上以预定厚度形成光刻胶膜图案；以及使用光刻胶膜作为用于离子注入的掩模，通过离子注入在半导体衬底上形成源/漏结。本发明通过防止或者减轻电子俘获现象，可以提高产品稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101335209B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200810127306.8 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金成珍 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;冯志云 |
| 主权项 | 1.一种制造闪存器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有堆叠结构的堆叠电极，所述堆叠结构包括栅氧化物膜、浮栅、层间绝缘膜和控制栅极；在所述堆叠电极的侧壁上形成侧间隔件；在所述侧间隔件的侧壁上以预定厚度形成光刻胶膜图案；以及使用所述光刻胶膜作为用于离子注入的掩模，通过离子注入在所述半导体衬底上形成源/漏结；其中形成所述侧间隔件的步骤包括在所述堆叠电极的所述侧壁上依次形成氧化物膜和氮化物膜；其中在所述侧间隔件的侧壁上以<img file="FSB00000137065800011.GIF" wi="129" he="53" />至<img file="FSB00000137065800012.GIF" wi="156" he="52" />的厚度形成所述光刻胶膜图案；以及其中以<img file="FSB00000137065800013.GIF" wi="125" he="52" />至<img file="FSB00000137065800014.GIF" wi="131" he="51" />的厚度形成所述氮化物膜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||