制造半导体器件的沟槽隔离的方法

摘要

本发明的制造半导体器件的沟槽隔离结构的方法中，在不产生缺陷情况下获得极好的间隙填充属性。在一方面，该方法包括：加载其中形成沟槽的衬底到高密度等离子体(HDP)化学气相沉积装置内；第一次加热衬底；施加第一偏置功率到装置以在沟槽的侧壁和底表面上形成HDP氧化衬里，在HDP氧化衬里形成后在沟槽内仍有一个间隙；去除第一偏置功率的施加并第二次加热衬底；施加比第一偏置功率大的功率水平的第二偏置功率到衬底以形成HDP氧化膜来填充沟槽内的间隙；从装置上卸载衬底。

主权项

一种制造半导体器件的沟槽隔离结构的方法，包括：将其中形成沟槽的衬底加载到高密度等离子体化学气相沉积装置内；第一次加热所述衬底；施加第一偏置功率到所述装置以在所述沟槽的侧壁和底表面上形成高密度等离子体氧化衬里，在所述高密度等离子体氧化衬里形成之后在所述沟槽内仍存在间隙；去除所述第一偏置功率的施加，并第二次加热所述衬底；施加具有比所述第一偏置功率大的功率水平的第二偏置功率到所述衬底以形成高密度等离子体氧化膜来填充所述沟槽内的间隙；从所述装置上卸载所述衬底。