硅单晶的制造方法、硅单晶提拉装置以及石英玻璃坩埚

摘要

本发明涉及一种硅单晶的制造方法及硅单晶提拉装置，进行硅熔融液的渗出监视及籽晶的触液检测，并且实现可耐长时间提拉的石英玻璃坩埚的强化及硅单晶的杂质浓度的降低。本发明的硅单晶的制造方法包括如下步骤：使安装在导线18的前端的籽晶与石英玻璃坩埚14内的硅熔融液21接触，并且一面施加使坩埚侧为负极、使导线侧为正极的电压V1，一面监视该电压的变化，由此检测籽晶的触液状态；在其后的温度调整期间内，施加使坩埚侧为正极、使导线侧为负极的电压V2，由此使石英玻璃坩埚14的内表面失透；及在温度调整期间结束后，一面施加使坩埚侧为负极、使导线18侧为正极的电压V3，一面缓缓提拉籽晶，由此使硅单晶成长。

主权项

一种硅单晶的制造方法，其特征在于包括如下步骤：使安装在提拉轴的前端的籽晶与石英玻璃坩埚内的硅熔融液接触，并且一面施加使所述石英玻璃坩埚侧为负极、使所述提拉轴侧为正极的第1电压，一面监视该电压的变化，由此检测所述籽晶的触液状态；从所述籽晶触液后在一定期间即所述硅熔融液的温度调整期间内，施加使所述石英玻璃坩埚侧为正极、使所述提拉轴侧为负极且绝对值大于所述第1电压的第2电压，由此使所述石英玻璃坩埚的内表面失透；及在所述温度调整期间结束后，一面施加使所述石英玻璃坩埚侧为负极、使所述提拉轴侧为正极且绝对值小于所述第2电压的第3电压，一面缓缓提拉所述籽晶，由此使硅单晶成长。