发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件,其目的在解决属于三次元半导体的SGT因为泄漏电流增加所致消耗电力的增大,而实现SGT的低消耗电力。本发明的半导体器件的特征在于,具备:第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极;在第1硅柱的下部具备有第2硅柱,在第1硅柱的上部具备有第3硅柱;并且,半导体器件由以下区域所构成:第2导电型高浓度杂质区域,形成在除第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面;第1导电型杂质区域,由形成于第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围;第2导电型高浓度杂质区域,形成在除第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面;以及第1导电型杂质区域,由形成于第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围;而第2硅柱与第3硅柱的第1导电型杂质区域较从第2硅柱与第3硅柱的底部延伸的耗尽区区域还大。 |
申请公布号 |
CN101901836A |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN201010194884.0 |
申请日期 |
2010.05.31 |
申请人 |
日本优尼山帝斯电子株式会社 |
发明人 |
舛冈富士雄;工藤智彦 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郑小军;冯志云 |
主权项 |
一种半导体器件,其特征在于,具备:第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极;在所述第1硅柱的下部具备有第2硅柱,而在所述第1硅柱的上部具备有第3硅柱;并且,半导体器件由以下区域所构成:第2导电型高浓度杂质区域,形成在除所述第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面;第1导电型杂质区域,由形成于所述第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围;第2导电型高浓度杂质区域,形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面;以及第1导电型杂质区域,由形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围;而形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于所述第2硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还短;而形成于所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于第3硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还长。 |
地址 |
日本东京都 |