发明名称 形成电压保护集成装置和结构的方法
摘要 在本实例中,电压保护电路使用两个背对背晶体管来接收未保护电压并形成保护电压。
申请公布号 CN1937344B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200610153919.X 申请日期 2006.09.12
申请人 半导体元件工业有限责任公司 发明人 保罗·米格里尔瓦卡
分类号 H02H3/18(2006.01)I;H02H3/20(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H02H3/18(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 马浩
主权项 一种反向电压和过电压保护电路,包括:第一开关装置,具有控制电极、载流电极和参考载流电极,所述参考载流电极被耦合以接收一未保护电压;第二开关装置,具有控制电极、与一负载耦合的参考载流电极、以及与第一开关装置的载流电极耦合的载流电极;以及控制电路,用来接收所述未保护电压,以及响应于所述未保护电压值具有一大于过电压值的值,禁用第二开关装置并把所述负载与接收所述未保护电压相解耦,以及响应于所述未保护电压具有反向值,禁用第一开关装置并将所述负载与接收所述未保护电压相解耦,其中,所述控制电路包括串联耦合的第一晶体管和第二晶体管,其中所述第一晶体管的参考载流电极和第二晶体管的参考载流电极连接,所述第一晶体管的载流电极通过第一电阻耦合至所述第一开关装置的控制电极,所述第一晶体管的载流电极通过第二电阻耦合至所述第二开关装置的控制电极,所述第一晶体管的控制电极和所述第二晶体管的控制电极通过第三电阻和第四电阻耦合至小于所述未保护电压的一电压,所述第二晶体管的载流电极耦合至控制电极信号。
地址 美国亚利桑那