功率IC器件及其制造方法

摘要

一种功率IC器件，其表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管在同一芯片上构成。沟槽型功率MOS晶体管的源区(14)与表层沟道CMOS晶体管的栅极(21a)在同一平面上构成。根据上述结构，当沟槽型功率MOS晶体管和表层沟道CMOS晶体管在同一芯片上形成时，可以提供一种能够降低制造成本的功率IC器件及其制造方法。

主权项

一种功率IC器件，其中，表层沟道CMOS晶体管和沟槽型功率MOS晶体管形成在同一个芯片上，其特征在于，上述表层沟道CMOS晶体管包括：第一反转沟区，形成在芯片表面层的不存在沟槽的部分并且平行于上述芯片表面层；以及栅极，形成在上述第一反转沟区的上层，上述沟槽型功率MOS晶体管包括：栅区，填埋栅极绝缘膜的内部而形成，该栅极绝缘膜形成于在芯片表面层的一部分中形成的多个沟槽的壁面；第二反转沟区，分别形成于上述沟槽的侧壁；绝缘膜，通过对上述各栅区的上层进行氧化而分别形成；N阱区内源区，通过在上述各第二反转沟区的上层有选择地进行掺杂而分别形成；源区，横跨上述多个绝缘膜和多个N阱区内源区的上层中的芯片的表面层而形成；栅极，在上述多个沟槽的侧方连接于各栅区，而且，在芯片的表面层中在与上述源区不同的位置形成；以及漏极，形成在上述芯片的背面层，上述沟槽型功率MOS晶体管的源区和上述表层沟道CMOS晶体管的栅极形成在同一层上。