发明名称 |
涂覆方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于涂覆和/或涂布待用原子层沉积法(ALD法)在反应空间内进行处理的基材、结构的内表面或另一工件的方法。在该方法中,通过向反应空间内注入相继的起始材料脉冲,待处理的基材表面交替反复进行饱和表面反应。根据本发明,其量被预先确定的起始材料的脉冲,被注入反应空间;在脉冲期间和/或脉冲之后或以连续方式测量反应空间内起始材料和/或其反应产物的量/浓度,根据在步骤b)中获得的测量结果确定后续循环中注入反应空间内的起始材料的量;以及下一起始材料脉冲,其量与步骤c)中获得的测量结果一致,被注入反应空间内。 |
申请公布号 |
CN101903564A |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200880121766.8 |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
BENEQ有限公司 |
发明人 |
P·索尼内;S·斯奈克 |
分类号 |
C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
任永利 |
主权项 |
一种在反应空间内用气相沉积法例如原子层沉积法(ALD法)涂覆和/或涂布待处理的基材、结构的内表面或另一工件的表面的方法,在所述方法中通过向反应空间内注入相继的起始材料脉冲而使待处理的基材表面交替进行反复的起始材料的饱和表面反应,其特征在于所述方法包括步骤:a)向所述反应空间内注入一种起始材料或多种起始材料的脉冲;b)在脉冲期间或以连续方式测量反应空间内所述起始材料和/或它们的反应产物的量/浓度;和c)当所述起始材料和/或它们的反应产物的量/浓度达到预定值时终止所述一种起始材料或多种起始材料的脉冲的注入。 |
地址 |
芬兰万塔 |