| 发明名称 | 交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种交直流转换整合元件与使用该元件的集成电路。所述集成电路包含：一直流低压电路；以及与该直流低压电路耦接的交直流转换整合元件，该交直流转换整合元件包括四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位。 | ||
| 申请公布号 | CN101901806A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200910202808.7 | 申请日期 | 2009.05.26 |
| 申请人 | 奇高电子股份有限公司 | 发明人 | 黄健腾;洪尚铭;蓝正丰 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H02M7/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种交直流转换整合元件，其特征在于，包含：第一传导型态的基板；以及位于基板内的第二传导型态的至少四个井区，每个第二传导型态的井区内包括：位于第二传导型态井区内的第一传导型态的高浓度掺杂区；及位于第二传导型态井区内的第二传导型态的高浓度掺杂区；其中，每个井区与其内的第一与第二传导型态的高浓度掺杂区构成二极管，四个井区构成四个二极管，其中第一二极管的阴极与第二二极管的阳极相接，此第一相接节点接收一交流电压的一输入，第三二极管的阴极与第四二极管的阳极相接，此第二相接节点接收该交流电压的另一输入，该第一二极管的阳极与第三二极管的阳极相接，此第三相接节点提供一直流电压的低准位，第二二极管的阴极与第四二极管的阴极相接，此第四相接节点提供一直流电压的高准位；且其中，此交直流转换整合元件与一直流低压电路制作于同一集成电路中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||