发明名称 |
一种绝缘体上锗硅和应变硅材料的制备方法 |
摘要 |
一种绝缘体上锗硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明进一步提供了一种绝缘体上应变硅材料的制备方法,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层;在锗硅层表面生长应变硅层。本发明的优点在于,采用了含有空洞层的初始衬底作为外延锗硅的支撑衬底,在随后的注氧制备SiGeOI和应变硅材料的过程中,该空洞层能够有效地促进注入的改性离子的聚集形成绝缘层,从而得到高质量的SiGeOI和应变硅材料并降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN101901780A |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN201010211457.9 |
申请日期 |
2010.06.25 |
申请人 |
上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
魏星;王湘;杨建;张苗;王曦;林成鲁 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
翟羽 |
主权项 |
一种绝缘体上锗硅材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供含有空洞层的衬底;在衬底表面外延生长锗硅层;将改性离子注入在空洞层的位置;退火形成绝缘埋层。 |
地址 |
201821 上海市嘉定区普惠路200号 |