| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。 | ||
| 申请公布号 | CN101901768A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN201010194245.4 | 申请日期 | 2010.05.27 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 佐佐木俊成;大原宏树;坂田淳一郎 |
| 分类号 | H01L21/34(2006.01)I;H01L21/477(2006.01)I;H01L21/473(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在具有绝缘表面的衬底上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；在氮气氛下加热所述氧化物半导体层；在所述加热步骤之后在所述氧化物半导体层上形成源电极层及漏电极层；以及通过溅射法在所述栅极绝缘层、所述氧化物半导体层、所述源电极层以及所述漏电极层上形成氧化硅膜，以使所述氧化硅膜接触于所述氧化物半导体层的一部分。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||