具有低缺陷密度的半导体发光组件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构以及一欧姆电极结构。该基板具有一第一上表面以及形成于该第一上表面上的数个第一凹陷。该多层结构形成于该基板上并且包含一发光区。该多层结构的一最底层形成于该基板的该第一上表面上。该最底层具有一第二上表面以及形成于该第二上表面上的数个第二凹陷。这些第二凹陷投影至该第一上表面上。该欧姆电极结构形成于该多层结构上。

主权项

一种半导体发光组件，其特征在于，包含：一基板，所述基板具有一第一上表面、形成于所述第一上表面上的数个第一凹陷以及所述第一上表面上位于所述这些第一凹陷之外的区域；一多层结构，所述多层结构形成于所述基板上并且包含一发光区，所述多层结构的一最底层形成于所述基板的所述第一上表面上，所述最底层具有一第二上表面以及形成于所述第二上表面上的数个第二凹陷，并且所述这些第二凹陷投影至所述第一上表面的位于所述这些第一凹陷之外的区域上；以及一欧姆电极结构，所述欧姆电极结构形成于所述多层结构上。