| 发明名称 | 用于应力SiN薄膜的氨基乙烯基硅烷前体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于应力SiN薄膜的氨基乙烯基硅烷前体，并且还涉及一种提高等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅(SiN)和碳氮化硅(SiCN)薄膜中的本征压应力的方法，包括从基于氨基乙烯基硅烷的前体沉积所述薄膜。更具体地，本发明使用选自式：[RR1N]xSiR3y(R2)z的基于氨基乙烯基硅烷的前体，其中x+y+z＝4，x＝1-3，y＝0-2以及z＝1-3；R、R1和R3可以是氢、C1-C10烷烃、烯烃或C4-C12芳香基团；各个R2为乙烯基、烯丙基或包含乙烯基的官能团。 | ||
| 申请公布号 | CN101899651A | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200910246836.9 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | V·沃萨;A·D·约翰逊;萧满超 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/36(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘锴;林森 |
| 主权项 | 一种提高在氮化硅(SiN)和碳氮化硅(SiCN)薄膜的等离子增强化学气相沉积(PECVD)中的本征压应力的方法，包括从基于氨基乙烯基硅烷的前体沉积所述薄膜。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||