发明名称 |
互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器 |
摘要 |
一种互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器,涉及电流电压转换器技术领域,包括晶体管组成的共源共栅电流镜,其由四个PMOS晶体管组成的共源共栅电流镜和四个NMOS晶体管组成的共源共栅电流镜上下对接而成,交流电流信号从上下电流镜对接处输入,被两个电流镜镜像,输出电压等于输入电流与输出共源共栅结构电阻的乘积。本发明将微弱的pA量级的电流信号转化为mV量级的电压,利用共源共栅电流镜输出阻抗大的特点实现高增益,达到了结构简单和高增益的特点,同时由于没有反馈电阻,不需要考虑稳定性的问题。 |
申请公布号 |
CN101064497B |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200610076009.6 |
申请日期 |
2006.04.24 |
申请人 |
中国科学院电子学研究所 |
发明人 |
杨海钢;崔国平 |
分类号 |
H03F3/345(2006.01)I;H03F3/347(2006.01)I;H03K19/0185(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/345(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器,包括晶体管组成的共源共栅电流镜,其特征在于:四个PMOS晶体管M3、M4、M7和M8组成共源共栅电流镜1;四个NMOS晶体管M1、M2、M5和M6组成共源共栅电流镜2;将共源共栅电流镜1和共源共栅电流镜2对接在一起,即将M1、M2、M3和M4的栅极与M1和M3的漏极连接在一起,并将此连接点作为交流电流信号的输入端Vi,将M2和M4的漏极相连,并将此连接点作为电压信号的输出端Vo。 |
地址 |
100080 北京市海淀区北四环西路19号 |