相变化存储单元结构及其制造方法

摘要

一种相变化存储单元结构，包括：一第一电极，设置于一第一介电层之上；一第二介电层，设置于该第一电极之上；一导电构件，穿透该第二介电层并电接触该第一电极，其中该导电构件包括依序堆叠于该第一电极之上的一下部构件与一上部构件，该下部构件与该上部构件包括不同的材料；一相变化材料层，设置于该第二介电层之上且电连接该导电构件；以及一第二电极，设置于该相变化材料层之上。

主权项

一种相变化存储单元结构，包括：第一电极，设置于第一介电层之上；第二介电层，设置于该第一电极之上；导电构件，穿透该第二介电层并电接触该第一电极，其中该导电构件包括依序堆叠于该第一电极之上的下部构件与上部构件，该下部构件与该上部构件包括不同的材料，其中该导电构件的该下部构件包括CoWP或CoWB；相变化材料层，设置于该第二介电层之上且电连接该导电构件；以及第二电极，设置于该相变化材料层之上。