一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法，包括如下步骤：1)、选用2片轻掺杂的抛光硅片，每片抛光硅片的正面为抛光面；2)、每片硅片均进行N+或P+预扩，然后在预扩后的抛光硅片的正面设置氧化层；3)、使上述2片带有氧化层的抛光硅片正面两两正对后进行室温键合，将所得键合硅片组放到高温炉中进行高温处理；4)、对所得硅片组的两表面进行机械研磨和抛光；5)、在硅片组的两表面分别制造晶体管芯片；6)、将步骤5)所得的硅片组置于HF溶液中使硅片分离；7)、将硅片的不设晶体管芯片的表面金属化，然后去除光刻胶、划片和封装；得晶体管。采用本发明方法能保证晶体管性能。

主权项

一种用硅单晶薄片制造晶体管的方法，其特性在于依次包括如下步骤：1)、选用2片轻掺杂的抛光硅片，所述每片抛光硅片的正面为抛光面；2)、上述每片硅片均进行N+或P+预扩，然后在预扩后的抛光硅片的正面设置氧化层；对所得的硅片用SC1和SC2药液进行清洗，直至表面不存在＞0.5um的颗粒；3)、使上述2片带有氧化层的抛光硅片正面两两正对后进行室温键合，得键合硅片组；将上述键合硅片组放到高温炉中进行高温处理，得高温处理后硅片组；4)、对高温处理后硅片组的两表面进行机械研磨和抛光；5)、采用常规的半导体平面工艺在步骤4)所得硅片组的两表面分别制造晶体管芯片，然后在上述分别带有晶体管芯片的硅片组两表面分别设置抗腐蚀用的光刻胶；6)、将步骤5)所得的硅片组置于HF溶液中使硅片分离；7)、将硅片的不设晶体管芯片的表面金属化，然后去除光刻胶、划片和封装；得晶体管。