发明名称 相变存储设备以及对其进行编程的方法
摘要 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括:每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态,然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明,当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时,可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下,对存储单元进行正确编程。
申请公布号 CN1892889B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200510136251.3 申请日期 2005.12.23
申请人 三星电子株式会社 发明人 金惠珍;金杜应;李光振;鲁有桓
分类号 G11C7/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I 主分类号 G11C7/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 李芳华;邸万奎
主权项 一种用于在相变存储设备中编程数据的方法,包括以下步骤:向具有多个状态的存储单元施加第一脉冲;和施加第二脉冲,以将该存储单元调节为所述多个状态之一,其中第二脉冲的波形根据所述多个状态而可变,以及如果第一脉冲将存储单元调节为置位状态,则当该存储单元从置位状态转变到复位状态时,第二脉冲的下降时间变短。
地址 韩国京畿道
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