| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于通过减小半导体膜与电极和连线的接触电阻，提高半导体膜和电极或连线的覆盖率，得到性能提高的半导体器件。本发明涉及半导体器件，包括：衬底上方的栅电极，栅电极上方的栅绝缘膜，栅绝缘膜上方的第一源或漏电极，第一源或漏电极上方的岛状半导体膜，第一源或漏电极和岛状半导体膜上方的第二源或漏电极。此外，第二源或漏电极与第一源或漏电极接触，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间。此外，本发明涉及半导体器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101278403B | 申请公布日期 | 2010.12.01 |
| 申请号 | CN200680036407.3 | 申请日期 | 2006.10.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 本田达也 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 郭放 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底上方的栅电极；栅电极上方的栅绝缘膜；栅绝缘膜上方的第一源或漏电极；第一源或漏电极上方的岛状半导体膜；和岛状半导体膜和第一源或漏电极上方的第二源或漏电极，其中，第二源或漏电极的一部分与第一源或漏电极直接接触；其中，岛状半导体膜夹在第一源或漏电极和第二源或漏电极之间；并且其中，岛状半导体膜的边缘被覆盖有第一源或漏电极和第二源或漏电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||