发明名称 具有高维持电压的SCR ESD保护结构
摘要 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构,该结构包含P型衬底,在P型衬底上设有N型阱和P型阱区域,N型阱和P型阱区域相互交叠形成另一低掺杂区域,在N型阱中设有第一N+掺杂区和第一P+掺杂区,第一N+掺杂区和第一P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起,作为器件的阳极,在P型阱中有第二N+掺杂区和第二P+掺杂区,第二N+掺杂区和第二P+掺杂区通过接触孔引出并连接在一起,作为器件的阴极。SCR结构便由N型阱中的P+掺杂区,N型阱区域,P型阱区域,P型阱中的N+掺杂区构成,它通过N型阱和P型阱相互交叠所形成的低掺杂区域来增加维持状态下的电阻,从而增加了维持电压。
申请公布号 CN101901831A 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200910233693.8 申请日期 2009.10.28
申请人 苏州博创集成电路设计有限公司 发明人 易扬波;王钦;李海松;刘侠;陶平
分类号 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L29/74(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 楼高潮
主权项 一种具有高维持电压的静电放电防护SCR结构,形成于一器件上,所述器件包括:P型衬底(40),在所述P型衬底(40)上设有N型阱(41)和P型阱(42),所述N型阱(41)和所述P型阱(42)相互交叠并形成交叠区域(48),在所述N型阱(41)中设有N+掺杂区(43)和P+掺杂区(44),所述N+掺杂区(43)和所述P+掺杂区(44)通过接触孔引出并连接在一起,作为所述器件的阳极,在所述P型阱(42)中设有N+掺杂区(45)和P+掺杂区(46),所述N+掺杂区(45)和所述P+掺杂区(46)通过接触孔引出并连接在一起,作为所述器件的阴极,其特征在于:所述的静电放电防护SCR结构由P+掺杂区(44)、N型阱(41)、P型阱(42)、交叠区域(48)和N+掺杂区(45)所组成。
地址 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖林泉街399号1号楼3层