发明名称 基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源
摘要 基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于该电源包括启动电路(1),一阶温度补偿基准电压产生电路(2),第一误差放大器(3)及高阶温度补偿基准电压产生电路(4),高阶温度补偿电流产生电路(5),调节模块电路(6);高阶温度补偿电流产生电路(5)的直流电输入端分别连接直流电源Vcc;高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输出端同时与启动电路(1)的第二输入端和第一误差放大器(3)的第三输入端相连;高阶温度补偿基准电压产生电路(4)的输出端就是一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端,与高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输入端相连。
申请公布号 CN101901020A 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN201010200378.8 申请日期 2010.06.13
申请人 东南大学 发明人 吴建辉;沈海峰;樊婷;顾俊辉;张萌;李红;朱贾峰;时龙兴
分类号 G05F3/30(2006.01)I 主分类号 G05F3/30(2006.01)I
代理机构 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人 汤志武
主权项 一种基于高阶温度补偿的低温漂CMOS带隙基准电压源,其特征在于该电压源包括启动电路(1),一阶温度补偿基准电压产生电路(2),第一误差放大器(3)及高阶温度补偿基准电压产生电路(4),高阶温度补偿电流产生电路(5),调节模块电路(6);其中,启动电路(1)、一阶温度补偿基准电压产生电路(2)、第一误差放大器(3)、高阶温度补偿基准电压产生电路(4)和高阶温度补偿电流产生电路(5)的直流电输入端分别连接直流电源Vcc,启动电路(1)的第一输入端接一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端,启动电路(1)的第二输入端接高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输出端;一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第二输出端与第一误差放大器(3)的第一输入端相连,一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第三输出端与第一误差放大器(3)的第二输入端相连,一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输入端与第一误差放大器(3)的第一输出端相连,高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输出端分别与启动电路(1)的第二输入端和第一误差放大器(3)的第三输入端相连;高阶温度补偿基准电压产生电路(4)的输出端就是一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端,与高阶温度补偿电流产生电路(5)的第一输入端相连;调节模块电路(6)的输出端与一阶温度补偿基准电压产生电路(2)的第一输出端相连。
地址 214135 江苏省无锡市无锡新区菱湖大道99号