发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种半导体装置,该半导体装置能够实现批量生产,而且具有跟现有的小型元件不同的结构。本发明的目的还在于提供一种可以提高强度,并可以抑制在制造步骤中的元件的损坏,且可靠性以及成品率高的半导体装置的结构以及其制造方法。本发明的半导体装置包括:具有集成电路的层;形成在具有集成电路的层上,而且与具有集成电路的层电连接的第一端子;形成在第一端子上,而且与第一端子电连接的起天线作用的导电层;形成在具有集成电路的层上,而且与具有集成电路的层、起天线作用的导电层、第一端子不电连接的第二端子。 |
申请公布号 |
CN1940977B |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200610159571.5 |
申请日期 |
2006.09.27 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
楠本直人;高桥秀和;小林由佳 |
分类号 |
G06K19/077(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
G06K19/077(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李镇江 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:形成在衬底上的晶体管;设置在所述晶体管上的第一绝缘层;通过所述第一绝缘层的开口部分,与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层;设置在所述第一绝缘层上的第二导电层;设置在所述第一导电层和所述第二导电层上的第二绝缘层;通过所述第二绝缘层的开口部分,与所述第一导电层连接的天线;以及中间夹所述第二绝缘层地设置在所述第二导电层上的第三导电层;其中,所述第二导电层以及所述第三导电层处于电隔离的状态,并且所述天线和所述第三导电层设置在相同的表面上。 |
地址 |
日本神奈川 |