半导体芯片制作方法

摘要

在由管芯附着膜4和UV带5形成的膜层6已经设置在半导体晶片1上作为掩模之后，用于分割形成于电路图案形成面1a上的半导体元件2的边界槽7形成于膜层6内，由此使半导体晶片1的表面露出。半导体晶片1的在边界槽7内的露出表面1c通过氟基气体的等离子体被蚀刻，且半导体晶片1沿着边界槽7划片成半导体芯片1’。

主权项

一种半导体芯片制作方法，包括：加载掩模步骤，在半导体晶片的与电路图案形成面相对的掩模形成面上设置膜层作为掩模，其中所述膜层是由将固定到所述掩模形成面的管芯附着膜以及将贴附到所述管芯附着膜的外表面的耐热膜形成；边界槽形成步骤，在设置于所述半导体晶片上的所述膜层内形成边界槽，所述边界槽用于分割形成于所述半导体晶片的所述电路图案形成面上的半导体元件，由此使所述半导体晶片的表面通过所述边界槽露出；以及等离子体蚀刻步骤，使用氟基气体的等离子体来蚀刻通过所述边界槽露出的所述半导体晶片的表面，由此沿着所述边界槽将所述半导体晶片分离成半导体芯片。