发明名称 |
嵌套型磁铁 |
摘要 |
本发明公开了一种嵌套型磁铁,该磁铁包括:两个开口相对的П形主磁铁,用于提供磁场分布;分别缠绕在该П形主磁铁横梁上的两个励磁线圈;两个开口相对的П形内磁铁,用于改善磁场分布,该两个内磁铁分别位于两П形主磁铁的空腔内,且该两个内磁铁各有两个线圈,该两个线圈分别位于内磁铁的极头上。利用本发明,可以形成类似阶梯形的磁场分布,非常适合于将原始的高斯分布,甚至是很不规则的束流分布,在靶上转换为相对均匀化的束流。 |
申请公布号 |
CN101488390B |
申请公布日期 |
2010.12.01 |
申请号 |
CN200810056248.4 |
申请日期 |
2008.01.16 |
申请人 |
中国科学院高能物理研究所 |
发明人 |
唐靖宇 |
分类号 |
H01F7/00(2006.01)I;H01J37/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F7/00(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
一种嵌套型磁铁,其特征在于,该磁铁包括:两个开口相对的п形主磁铁,用于提供磁场分布;分别缠绕在该п形主磁铁横梁上的两个励磁线圈;两个开口相对的п形内磁铁,用于改善磁场分布,该两个内磁铁分别位于两п形主磁铁的空腔内,且该两个内磁铁各有两个线圈,该两个线圈分别位于内磁铁的极头上;其中,该内磁铁的磁场分布与该主磁铁的磁场分布是相反的,能够将位于主磁铁边缘的磁通吸收到该内磁铁中,缩短边缘磁场的延伸距离并改善磁铁的纵向分布,形成沿纵向为硬边近似的阶梯形的磁场分布。 |
地址 |
100049 北京市石景山区玉泉路19号乙 |