P沟道能隙工程硅氧氮氧硅NAND闪存的操作方法

摘要

本发明提供一种P沟道存储器单元的擦除方法，存储器单元包括源极、漏极和栅极，通过施加第一电压于栅极，导致正富勒-诺丁汉电子注入，因此导致存储器单元进入擦除状态。本发明还提供一种P沟道存储器单元的读取方法，存储器单元包括源极、漏极和栅极，通过施加第一电压于源极；施加第二电压于漏极，其中第一电压比第二电压大；根据存储器元件状态的检测结果选择第三电压；并且把第三电压施加于栅极，其中第三电压比第一电压和第二电压大。

主权项

1.一种P沟道闪速存储器单元的操作方法，所述存储器单元包括栅极、源极、漏极和在所述源极与所述漏极之间的沟道，所述操作方法包括编程方法，所述编程方法包括下列步骤：(a)施加第一电压于所述栅极，以及(b)施加第二电压于所述源极或所述漏极，其中所述第二电压比所述第一电压还大，足以使得在所述沟道中产生负富勒-诺丁汉空穴注入，从而使所述单元进入编程状态。