发明名称 覆晶封装制程
摘要 本发明揭示一种覆晶封装制程。覆晶封装结构包括一芯片承载器、一芯片、多个凸块、一非导电胶体以及一挡墙。芯片承载器具有多个第一接点。芯片具有一有源表面以及多个位于有源表面上的焊垫,其中这些焊垫配置于芯片的有源表面的一中心区域内。凸块配置于焊垫上以使第一接点与焊垫电性连接。非导电胶体配置于芯片与芯片承载器之间以包覆凸块。挡墙配置于芯片与芯片承载器之间,且位于被非导电胶体包覆的凸块周边,而且挡墙与有源表面的部分区域接触。
申请公布号 CN101552245B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200810092121.8 申请日期 2008.04.03
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 刘光华
分类号 H01L23/31(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/31(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈亮
主权项 一种覆晶封装制程,包括:提供一芯片,该芯片具有一有源表面以及多个位于该有源表面上的焊垫;于该芯片的该些焊垫上形成多个凸块;于该有源表面上形成一挡墙,该挡墙避开该些凸块形成区域围出一区块;于该区块内的该有源表面上形成一非导电胶体,以包覆该些凸块;以及于形成该挡墙与该非导电胶体之后,令该芯片通过该些凸块与一芯片承载器电性连接。
地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号