利用等离子体清洁处理形成钝化层以降低自然氧化物生长的方法

摘要

本发明描述的实施例提供用于去除基板上的自然氧化物，同时将下方的基板表面予以钝化的方法。在一实施例中，提供一种方法，其包括：将包含氧化物层的基板放置于工艺腔室内；调整该基板的第一温度到约80℃或更小；在该工艺腔室内由气体混合物产生清洁等离子体，其中该气体混合物包含氨和三氟化氮且NH3/NF3摩尔比例为约10或更高；及使该清洁等离子体凝结到该基板上。在等离子体清洁工艺期间，部分地由自然氧化物形成含有六氟硅酸铵的薄膜。该方法还包括在该工艺腔室内加热该基板到约100℃或更高的第二温度，同时从该基板去除该薄膜且在该基板上形成钝化表面。

主权项

一种用于从基板表面去除自然氧化物的方法，包含以下步骤：将包含氧化物层的基板放置于工艺腔室内；调整该基板的第一温度到约80℃或更小；在该工艺腔室内由气体混合物产生清洁等离子体，其中该气体混合物包含氨和三氟化氮且NH3/NF3摩尔比例为约10或更高；在等离子体清洁工艺期间，使该清洁等离子体凝结到该基板上且形成薄膜，其中该薄膜包含部分由该氧化物层形成的六氟硅酸铵；及在该工艺腔室内加热该基板到约100℃或更高的第二温度，同时从该基板去除该薄膜且在该基板上形成钝化表面。