包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法

摘要

本发明公开了包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法，在多晶硅栅极形成之后，包括如下步骤：1)淀积用作侧墙的薄膜；2)利用光刻工艺使光刻胶覆盖住位于所述DMOS晶体管中的高压漂移注入区上方预定形成硬质掩膜的用作侧墙的薄膜；3)刻蚀用作侧墙的薄膜，在多晶硅栅极的一侧形成侧墙，而在所述多晶硅栅极另一侧形成硬质掩膜；4)形成体引出注入区；5)形成源漏区；6)自对准金属硅化物的制备。本发明的制备方法可以减少器件的尺寸，从而保证器件的效率。

主权项

一种包含DMOS晶体管的集成电路的制备方法，在多晶硅栅极形成之后，包括如下步骤：1)在所述形成多晶硅栅极的衬底上淀积用作侧墙的薄膜；2)利用光刻工艺使光刻胶覆盖住位于所述DMOS晶体管中的高压漂移注入区上方预定形成硬质掩膜的用作侧墙的薄膜；3)刻蚀暴露出的所述用作侧墙的薄膜，在所述多晶硅栅极的一侧形成侧墙，而在所述多晶硅栅极位于高压漂移注入区上的一侧形成硬质掩膜，之后去除步骤二中的光刻胶；4)采用光刻工艺定义出体引出注入区的位置，之后以光刻工艺中的光刻胶为掩膜进行离子注入形成体引出注入区，然后去除所述光刻胶；5)采用光刻工艺定义出源漏区的位置，之后以光刻工艺中的光刻胶为掩膜进行源漏离子注入分别形成源区和漏区，然后去除所述光刻胶；6)接着利用所述硬质掩膜的保护，进行自对准金属硅化物的制备，在体引出注入区表面、源区表面、漏区表面以及未覆盖所述硬质掩膜的多晶硅栅极表面形成自对准金属硅化物。