含有具有卤原子的萘环的形成光刻用下层膜的组合物

摘要

本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物，和溶剂。

主权项

1.一种形成光刻用下层膜的组合物，其特征在于，含有聚合物和溶剂，所述聚合物是在构成聚合物的单元结构中具有摩尔比0.3以上的式(A-1)所示的单元结构的聚合物，式中，R₁表示氢原子或甲基，X表示卤原子，Y表示选自氢原子、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为1～6的烷氧基、氰基、硝基、羧基、羟基、碳原子数1～6的烷氧基羰基和碳原子数1～6的硫烷基中的基团，m和n分别为满足下述条件的整数，即，m为1～7的整数，n为0～6的整数，并且m+n＝7，在m和n为2以上的情况下，X和Y分别相同或不同。