| 摘要 |
<p>La présente invention concerne une structure semiconductrice (100) comportant un support (101) et au moins un bloc (104) reposant sur le support. Le bloc comporte un empilement incluant une alternance de couches (106 , 106 , 106 ) à base d'un premier matériau semiconducteur et de couches (107 , 107 , 107 ) à base d'un deuxième matériau semiconducteur différent du premier matériau, lesdites couches (106 , 106 , 106 ) présentant des dimensions supérieures aux couches (107 , 107 , 107 ) de sorte que l'empilement possède un profil latéral dentelé (108, 308) et une pluralité de bouchons (112 , 112 , 112 ,113 , 113 , 113 ) comblant les espaces formés par le profil dentelé (108), les bouchons étant réalisés dans un troisième matériau différent du premier matériau de sorte que chacune des faces latérales (110) du bloc (104) présente une alternance de bandes latérales à base du premier matériau et de bandes latérales à base du troisième matériau. Au moins une des faces latérales (110, 111 ) du bloc est revêtue partiellement d'un matériau (118) favorisant la croissance de nanotubes ou de nanofils (119), le matériau catalyseur (118) revêtant exclusivement les bandes latérales à base du premier matériau ou exclusivement les bandes latérales à base du troisième matériau.</p> |
