| 发明名称 |
Material für eine Lochtransportschicht mit p-Dotierung |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Material für eine Lochtransportschicht mit einem p-Dotierungsmittel, wobei das Dotierungsmittel mit dem Lochtransportmaterial einen Charge-Transfer-Komplex bildet. Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, eine Metallkomponente in Lösung mit dem Lochtransportmatrixmaterial in Lösung zu einer Lochtransportschicht zu verarbeiten.
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| 申请公布号 |
DE102009022117(A1) |
申请公布日期 |
2010.11.25 |
| 申请号 |
DE200910022117 |
申请日期 |
2009.05.20 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
HERDER, SABINE;SARFERT, WIEBKE;SCHMID, GUENTER;SUHONEN, RIIKKA |
| 分类号 |
C09K11/06;H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54 |
主分类号 |
C09K11/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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