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Die Erfindung betrifft das Galvanisieren und elektrolytische Ätzen von Gut 1 mit einer elektrischen Kontaktierung an dessen Randbereich, insbesondere zum Galvanisieren von Substraten, z.B. als Wafer in einem Cup-Plater. Bei dünnen Startschichten und im Durchmesser großem Gut tritt bei einer Behandlung mit großer Stromdichte ein unzulässiger radialer Schichtdickenunterschied auf. Der Randbereich des Gutes wird stets intensiver elektrochemisch behandelt als der Mittenbereich. Zum ebenen Abscheidungsverlauf werden beim Galvanisieren erfindungsgemäß mindestens zwei elektrolytische Teilzellen gebildet, die jeweils von individuellen einstellbaren Galvanisierstromquellen 9' und 9'' mit Strom gespeist werden. Die Einspeisung der Teilkathode 12' mit der zugehörigen Teilanode 7' erfolgt im Bereich der diametral entfernt befindlichen Teilkathode 12''. Dadurch wird diese Teilzelle, von der Mitte des Gutes 1 ausgehend, mit Galvanisierstrom I gespeist. Entsprechend umgekehrt wird die Teilkathode 12'' über die Basisschicht der Teilkathode 12' gespeist. Im Ergebnis wird der Mittenbereich intensiver galvanisiert als der Randbereich, obwohl sich dort keine elektrischen Kontakte befinden. Die erforderliche Einebnung der Schichtdickenverteilung erfolgt erfindungsgemäß u.a. durch abwechselnd unterschiedliche Einstellungen der Größe des Galvanisierstromes der beiden Teilzellen sowie durch relativ zueinander rotierende Elektroden 7, 12.
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